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에사키 레오나
일본의 고체물리학자, 초전도 현상 연구가.

1973년 이바르 예이베르, 브라이언 조지프슨과 함께 노벨 물리학상을 받았다.

1947년 도쿄대학[東京大學] 물리학과를 졸업한 후 고베공업회사[神戶工業會社]에 들어갔다. 1956년 소니사(社)의 수석 물리학자가 되었으며 거기서 뒤에 노벨상을 받게 된 실험을 진행했다. 1959년 도쿄대학에서 박사학위를 받았다. 소니에서 그가 맡은 분야는 양자역학이었으며 터널링 현상에 관해 집중적으로 연구했다. 고전 역학적으로는 전자가 통과할 수 없는 장애물을 터널링 현상에서는 물질의 파동과 같은 특성에 의해 전자가 장애물을 통과할 수 있게 된다. 그는 반도체에 불순물을 첨가함으로써 고체상태 반도체의 특성을 조절하는 방법을 고안해냈으며 이를 통해 에사키 다이오드라고 불리는 이중 다이오드를 발명하게 되었다. 이 작업은 또한 1973년 노벨 물리학상 수상의 계기가 되는 고체물질개발에 새로운 가능성을 열어주었다. 1960년 보다 깊이있는 연구를 하기 위해 미국 국제사무기기회사(IBM)의 특별연구기금을 제공받아 뉴욕 요크타운에 있는 IBM 실험실에서 연구활동을 했다. 그는 일본 국적을 그대로 유지했다.


by http://preview.britannica.co.kr/spotlights/nobel/
 
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